| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Transistors, mit einer Metallschicht zwischen zwei Halbleiterzonen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1257290(B) |
申请公布日期 |
1967.12.28 |
| 申请号 |
DE1964T026533 |
申请日期 |
1964.07.08 |
| 申请人 |
TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGSGESELLSCHAFT M.B.H. |
发明人 |
SCHUETZE DR. RER. NAT. HANS-JUERGEN;HENNINGS DR.-ING. KLAUS |
| 分类号 |
H01L21/18;H01L21/24;H01L27/00;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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