发明名称 阵列基板及其制作方法、显示装置
摘要 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板制作方法,包括步骤:S1:在衬底基板上形成包括有源层、像素电极及数据线的图形,使有源层和像素电极位于同一层,且相互连接,数据线位于有源层之上;S2:在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成包括栅绝缘层及其上的至少两个栅极过孔的图形,使栅极过孔位于栅绝缘层上对应有源层周围且不与像素电极和数据线所在区域交叠的区域栅极过孔与有源层、像素电极及数据线之间均间隔有栅绝缘层;S3:形成包括栅线和至少两个栅极的图形,使至少两个栅极连接栅线,且分别位于至少两个栅极过孔。还公开了一种阵列基板及显示装置。本发明相对于现有技术节省了制作工艺及制作成本。
申请公布号 CN103681514A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310717908.X 申请日期 2013.12.23
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李迪
主权项 一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括步骤:S1:在衬底基板上形成包括有源层、像素电极及数据线的图形,使有源层和像素电极位于同一层,且相互连接,数据线位于所述有源层之上;S2:在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成包括栅绝缘层及其上的至少两个栅极过孔的图形,使所述栅极过孔位于所述栅绝缘层上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层;S3:形成包括栅线和至少两个栅极的图形,使所述至少两个栅极连接所述栅线,且分别位于所述至少两个栅极过孔中。
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