发明名称 一次先蚀后镀金属框减法埋芯片倒装平脚结构及工艺方法
摘要 本发明涉及一种芯片倒装一次蚀刻复合式平脚金属框架结构及工艺方法,其特征在于所述结构包括金属基板框,在所述金属基板框内部设置有基岛和引脚,所述基岛的背面和引脚的台阶面通过底部填充胶设置有芯片,所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片外均包封有塑封料,所述塑封料与金属基板框的上下表面齐平,在所述基岛正面、引脚的正面和背面以及金属基板框的表面镀有抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)。本发明的有益效果是:它能够解决传统金属引线框的板厚之中无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。
申请公布号 CN103681581A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310642073.6 申请日期 2013.12.05
申请人 江苏长电科技股份有限公司 发明人 梁志忠;梁新夫;王亚琴
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 代理人 唐纫兰
主权项 一种一次先蚀后镀金属框减法埋芯片倒装平脚结构的工艺方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、取金属基板步骤二、贴光阻膜作业在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤三、金属基板表面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板表面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜;步骤四、化学蚀刻在步骤三中金属基板表面去除部分光阻膜的区域内进行化学蚀刻,化学蚀刻完成后即形成相应的基岛与台阶形引脚;步骤五、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜;步骤六、装片在步骤五的基岛背面和引脚台阶面将已完成表面有凸点的芯片进行倒装,完成后并通过底部填充胶进行底部填充保护;步骤七、包封对步骤六的金属基板内部采用塑封料进行塑封,塑封料与金属基板的正面和背面均齐平;步骤八、电镀抗氧化金属层或是被覆抗氧化剂(OSP)在完成步骤七后的金属基板表面裸露在外的金属进行电镀抗氧化金属层(OSP)。
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