一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区；在所述半导体衬底上依次形成一氧化物层和一多晶硅层；去除所述PMOS区上的多晶硅层；在所述半导体衬底上形成一非晶态的碲化锗层；形成所述PMOS区的伪栅极结构；形成所述NMOS区的伪栅极结构；在所述伪栅极结构的两侧形成侧壁结构；在所述半导体衬底上形成一应力材料层，以覆盖所述伪栅极结构，并执行一退火过程；去除所述应力材料层；去除所述伪栅极结构，在所述侧壁结构之间形成栅沟槽。根据本发明，不需针对所述NMOS区和所述PMOS区分别实施应力记忆技术，从而省去了形成掩膜和去除掩膜的工序，缩短生产时间，降低制造成本。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区；b)在所述半导体衬底上依次形成一氧化物层和一多晶硅层；c)去除所述PMOS区上的多晶硅层；d)在所述半导体衬底上形成一非晶态的碲化锗层；e)形成所述PMOS区的伪栅极结构；f)形成所述NMOS区的伪栅极结构；g)在所述伪栅极结构的两侧形成侧壁结构；h)在所述半导体衬底上形成一应力材料层，以覆盖所述伪栅极结构，并执行一退火过程；i)去除所述应力材料层；j)去除所述伪栅极结构，在所述侧壁结构之间形成栅沟槽。