| 发明名称 | LED结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的一种LED结构及其制造方法，该LED结构包括：衬底；反射层，覆盖所述衬底；LED发光结构，位于所述反射层上，该LED发光结构包括上层半导体层、下层半导体层以及位于该上层半导体层和下层半导体层之间的多量子阱层，所述上层半导体层和下层半导体层其中一个是P型掺杂，另一个是N型掺杂。本发明无需衬底转移或者衬底图形化就能克服吸光问题，有利于降低制造成本，而且有利于减少采用MOCVD形成LED发光结构时的生长时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103682006A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310753037.7 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 发明人 | 张昊翔;封飞飞;万远涛;李东昇;江忠永 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
| 主权项 | 一种LED结构，其特征在于，包括：衬底；反射层，覆盖所述衬底；LED发光结构，位于所述反射层上，该LED发光结构包括上层半导体层、下层半导体层以及位于该上层半导体层和下层半导体层之间的多量子阱层，所述上层半导体层和下层半导体层其中一个是P型掺杂，另一个是N型掺杂。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区东区10号路300号 | ||