发明名称 |
静电放电保护电路装置 |
摘要 |
本发明是有关于一种静电放电保护电路装置,包括具有第一导电型的基底、具有第二导电型的井区以及晶体管。晶体管包括位于基底中并且延伸到井区的具有第二导电型的第一掺杂区、具有第一导电型的第二掺杂区以及位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的基底上的栅极。此装置还包括具有第二导电型的第三掺杂区以及具有第一导电型的第四掺杂区,依序位于具有第一导电型的第二掺杂区外侧的基底中并且接地。此装置还包括具有第一导电型的第五掺杂区以及具有第二导电型的第六掺杂区,依序位于具有第二导电型的第一掺杂区外侧的井区中并且连接焊垫。当静电放电电压施加于焊垫时,静电放电电压耦合至栅极。 |
申请公布号 |
CN103681651A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210330111.X |
申请日期 |
2012.09.07 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
何永涵 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种静电放电保护电路装置,其特征在于其包括:一基底,具有第一导电型;一井区,具有第二导电型,位于该基底中;一晶体管,包括:一第一掺杂区,位于该基底中并延伸至该井区中;一第二掺杂区,位于该基底中,与该第一掺杂区相邻;及一栅极,位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该基底上;一第三掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中;一第四掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,其中该第三掺杂区位于该第二掺杂区与该第四掺杂区之间;一第五掺杂区,具有第一导电型,位于该井区中;以及一第六掺杂区,具有第二导电型,位于该井区中,其中该第五掺杂区位于该第一掺杂区与该第六掺杂区之间,其中该第五掺杂区与该第六掺杂区电性连接到一焊垫,且该第三掺杂区与该第四掺杂区电性连接到一接地端。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |