| 发明名称 | 晶片封装体及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一感测层，设置于该基底的该第一表面上，其中该感测层具有一感测区；一导电垫结构，设置于该基底上，且电性连接该感测区；一间隔层，设置于该基底的该第一表面之上；一半导体基底，设置于该间隔层之上，其中该半导体基底、该间隔层、及该基底共同于该感测区上围出一空腔；以及一穿孔，自该半导体基底的一表面朝该基底延伸，其中该穿孔连通该空腔。本发明可显著缩减晶片封装体的尺寸，大量生产晶片封装体，并可降低制程成本与时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103681537A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310445673.3 | 申请日期 | 2013.09.25 |
| 申请人 | 精材科技股份有限公司 | 发明人 | 黄郁庭;刘沧宇 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一感测层，设置于该基底的该第一表面上，其中该感测层具有一感测区；一导电垫结构，设置于该基底上，且电性连接该感测区；一间隔层，设置于该基底的该第一表面之上；一半导体基底，设置于该间隔层之上，其中该半导体基底、该间隔层及该基底共同于该感测区上围出一空腔；以及一穿孔，自该半导体基底的一表面朝该基底延伸，其中该穿孔连通该空腔。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县中坜市中坜工业区吉林路23号9F | ||