| 发明名称 | 一种清洗单晶硅片表面的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种清洗单晶硅片表面的方法。其特点是，包括如下步骤：首先在预清洗槽内加入双氧水和氢氧化钠得到混合溶液，在该混合溶液中双氧水的浓度为2%-3%，NaOH的浓度为0.15%-0.3%，配合超声对单晶硅片进行清洗，清洗时混合溶液浸没过单晶硅片。经过试用证明，采用本发明的方法后，制绒时间缩短，提高了产量，硅片表面油污、白斑、手印等脏污被完全洗净，返工片数量大量减少，降低硅片的报废比例，相应减少了由于硅片制绒后返工所需化学品使用量。 | ||
| 申请公布号 | CN103681239A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310521814.5 | 申请日期 | 2013.10.29 |
| 申请人 | 宁夏银星能源股份有限公司 | 发明人 | 彭文强;廖建刚 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人 | 赵明辉 |
| 主权项 | 一种清洗单晶硅片表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在预清洗槽内加入双氧水和氢氧化钠得到混合溶液，在该混合溶液中双氧水的浓度为2%—3%，NaOH的浓度为0.15%—0.3%，配合超声对单晶硅片进行清洗，清洗时混合溶液浸没过单晶硅片。 | ||
| 地址 | 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区六盘山西路166号 | ||