发明名称 |
一种背结背接触晶体硅太阳电池制作方法 |
摘要 |
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是一种基于传统领域的背结背接触晶体硅太阳电池制作方法,包括步骤:选择硅片、单面制绒、背表面硼扩散、背面扩散掩膜沉积、背面区域图案化、双面磷扩散、介质膜及磷硅玻璃去除、前表面及背表面介质膜的沉积、介质膜开孔、丝网印刷背面的接触浆料、烧结。本发明通过将背结背接触电池的正、负电极均制作于硅片的背面,有效减少遮光面积,增加生光电流,提高太阳能电池的使用效率。 |
申请公布号 |
CN103681963A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310620189.X |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
发明人 |
李海波;董经兵;刘仁中;张斌;邢国强 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
刘燕娇 |
主权项 |
一种背结背接触晶体硅太阳电池制作方法,其特征在于,包括步骤:(a)准备:选择需要的硅衬底(1)材料;(b)单面制绒、单面抛光:对硅衬底(1)的前表面作制绒处理,对其背表面进行抛光处理;(c)背表面硼扩散;(d)背面扩散掩膜沉积:采用印刷或者PECVD方式在硅衬底(1)背面沉积介质膜(2);(e)背面区域图案化:采用激光或印刷腐蚀性浆料开孔方法对硅衬底(1)背面开孔P型及N型区域;(f)双面磷扩散:对硅衬底(1)进行磷扩散,使其形成背结背接触的前表面场及背表面场;(g)去除介质膜(2)及磷硅玻璃;(h)前表面及背表面介质膜(2)沉积;(i)背接触区域介质膜(2)开孔:采用激光或者印刷腐蚀性浆料的方式实现背面接触区域介质膜(2)的开孔;(j)印刷、烧结。 |
地址 |
215434 江苏省苏州市太仓市太仓港港口开发区平江路88号 |