发明名称 |
一种无静态功耗的芯片打线选择电路 |
摘要 |
本实用新型公开一种无静态功耗的芯片打线选择电路;PMOS管T1的D极与电路控制端及电路受控端连接,G极接电容C1及电阻R2一端,还接PMOS管T4的D极;PMOS管T1的S极串联电阻R1后接VDD、PMOS管T4的S极和G极及PMOS管T2的S极;电容C1的另一端接GND;电阻R2的另一端同时接PMOS管T2与NMOS管T3的D极,NMOS管T3的S极接GND,而PMOS管T2与NMOS管T3的G极相接后连接电路受控端。本实用新型只有电路控制端连接GND时需一根连接线,且电路控制端连接GND或者悬空都无静态功耗。 |
申请公布号 |
CN203504528U |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201320541004.1 |
申请日期 |
2013.09.02 |
申请人 |
矽恩微电子(厦门)有限公司 |
发明人 |
赵东世 |
分类号 |
H03K19/094(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/094(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 |
代理人 |
廖吉保 |
主权项 |
一种无静态功耗的芯片打线选择电路,其特征在于:包括PMOS管T1、电阻R1、电容C1、PMOS管T2、NMOS管T3、电阻R2及PMOS管T4;PMOS管T1的D极与电路控制端及电路受控端连接,G极接电容C1及电阻R 2一端,还接PMOS管T4的D极;PMOS管T1的S极串联电阻R1后接VDD、PMOS管T4的S极和G极及PMOS管T2的S极;电容C1的另一端接GND;电阻R2的另一端同时接PMOS管T2与NMOS管T3的D极,NMOS管T3的S极接GND,而PMOS管T2与NMOS管T3的G极相接后连接电路受控端。 |
地址 |
361000 福建省厦门市软件园创新技术大厦A区8楼 |