发明名称 一种无静态功耗的芯片打线选择电路
摘要 本实用新型公开一种无静态功耗的芯片打线选择电路;PMOS管T1的D极与电路控制端及电路受控端连接,G极接电容C1及电阻R2一端,还接PMOS管T4的D极;PMOS管T1的S极串联电阻R1后接VDD、PMOS管T4的S极和G极及PMOS管T2的S极;电容C1的另一端接GND;电阻R2的另一端同时接PMOS管T2与NMOS管T3的D极,NMOS管T3的S极接GND,而PMOS管T2与NMOS管T3的G极相接后连接电路受控端。本实用新型只有电路控制端连接GND时需一根连接线,且电路控制端连接GND或者悬空都无静态功耗。
申请公布号 CN203504528U 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201320541004.1 申请日期 2013.09.02
申请人 矽恩微电子(厦门)有限公司 发明人 赵东世
分类号 H03K19/094(2006.01)I 主分类号 H03K19/094(2006.01)I
代理机构 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人 廖吉保
主权项 一种无静态功耗的芯片打线选择电路,其特征在于:包括PMOS管T1、电阻R1、电容C1、PMOS管T2、NMOS管T3、电阻R2及PMOS管T4;PMOS管T1的D极与电路控制端及电路受控端连接,G极接电容C1及电阻R 2一端,还接PMOS管T4的D极;PMOS管T1的S极串联电阻R1后接VDD、PMOS管T4的S极和G极及PMOS管T2的S极;电容C1的另一端接GND;电阻R2的另一端同时接PMOS管T2与NMOS管T3的D极,NMOS管T3的S极接GND,而PMOS管T2与NMOS管T3的G极相接后连接电路受控端。
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