非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

一种非易失性半导体存储装置(100)，包括：形成有晶体管(101)的基板(102)；在所述基板上覆盖所述晶体管形成的第一层间绝缘层(103)；在所述第一层间绝缘层上形成、与所述晶体管的漏极电极(101a)或源极电极(101b)电连接的第一接触插头(104)或第二接触插头(105)；覆盖所述第一接触插头的至少一部分形成的电阻变化层(106)；在所述电阻变化层上形成的第一配线(107)；和覆盖所述第二接触插头的至少一部分形成的第二配线(108)，所述电阻变化层的端面和所述第一配线的端面在同一面内。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：形成有多个具有第一主电极、第二主电极和栅电极的晶体管的基板；在所述基板上以覆盖所述多个晶体管的方式形成的第一层间绝缘层；贯通所述第一层间绝缘层与所述多个晶体管所具有的第一主电极的各个电连接而形成的多个第一接触插头；以覆盖所述多个第一接触插头各自的上端面的至少一部分的方式对应所述多个第一接触插头的各个而分别形成的多个电阻变化层；和在所述多个电阻变化层上沿着第一方向而形成的第一配线，所述第一方向为前后方向，与所述第一方向垂直且与所述基板的主面平行的方向为左右方向时，所述电阻变化层的前后的端面与所述第一配线的端面不在同一面内，所述第一配线的左侧的端面与所述电阻变化层的左侧的端面在同一面内，所述第一配线的右侧的端面和所述电阻变化层的右侧端面在同一面内。