蚀刻方法和光掩模坯料的加工方法

摘要

本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。

主权项

一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括以下步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，及，通过使用转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中所述硬掩模层是含氧和/或氮以及过渡金属的硅基材料层，其中所述过渡金属选自由钛、钒、钴、镍、锆、铌、钼、铪和钨组成的组中的至少一种，所述加工层是含有过渡金属并且其中氧和氮的总含量低于所述硬掩模层中氧和氮的总含量的硅基材料层，其中所述过渡金属选自由钛、钒、钴、镍、锆、铌、钼、铪和钨组成的组中的至少一种，和通过所述第一干蚀刻将所述硬掩模层图形化后，在已经实施过所述第一干蚀刻的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中作为副成分的氧气的浓度而不改变干蚀刻气体中作为主成分的氯基气体的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。