减少高纵深沟槽填充薄膜退火中关键尺寸损耗的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及薄膜退火的方法，具体地说是一种减少高纵深沟槽填充薄膜退火中关键尺寸损耗的方法，其中，于湿氧化过程中通入N2或者惰性气体。本发明具有如下优点或者有益效果：采用本发明的方法，既可以满足消除高纵深沟槽填充薄膜中的空隙，同时也可以降低湿氧化过程中的氧化速度，使得湿氧化过程中有源区的硅消耗减少，从而减少有源区关键尺寸的损耗，提升半导体器件的良率。

主权项

一种减少高纵深沟槽填充薄膜退火中关键尺寸损耗的方法，其特征在于，于湿氧化过程中通入N2或者惰性气体。