一种晶体硅非晶硅层叠电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅非晶硅层叠电池及其制作方法，包括N型硅衬底、掺杂P层、第一本征非晶硅I层、微晶硅N层、非晶硅P层、第二本征非晶硅I层、透明导电电极、氮化硅钝化层、电池负极、电池正极，所述的N型硅衬底的上表面自下而上依次层叠掺杂P层、第一本征非晶硅I层、微晶硅N层、第二本征非晶硅I层、非晶硅P层、透明导电电极、电池正极；N型硅衬底下表面沉积氮化硅钝化层，所述N型硅衬底与氮化硅钝化层上设有开槽，所述开槽内嵌电池负极。本发明提供的太阳电池由晶体硅和非晶体硅层叠而成，充分利用非晶硅薄膜电池在700nm的波长以内，吸收系数大和晶体硅电池在波长大于700nm时吸收系数强的特点，充分利用太阳光谱；同时背面钝化的结构增加了对红外光谱的吸收，充分利用太阳光谱，提高电池的效率。

主权项

一种晶体硅非晶硅层叠电池，其特征在于：包括N型硅衬底（1）、掺杂P层（2）、第一本征非晶硅I层（3）、微晶硅N层（4）、非晶硅P层（5）、第二本征非晶硅I层（6）、透明导电电极（7）、氮化硅钝化层（8）、电池负极（9）、电池正极（10），所述的N型硅衬底（1）的上表面自下而上依次层叠掺杂P层（2）、第一本征非晶硅I层（3）、微晶硅N层（4）、非晶硅P层（5）、第二本征非晶硅I层（6）、透明导电电极（7）、电池正极（10）；N型硅衬底（1）下表面沉积氮化硅钝化层（8），所述氮化硅钝化层（8）上设有开槽，所述开槽内嵌电池负极（9）。