| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光元件及其制造方法，半导体发光元件包括发光的磊晶结构、第一电极结构、光反射层及电阻增加结构。其中，磊晶结构具有相对的第一面及第二面；第一电极结构与第一面电性相接；光反射层与第二面相邻；电阻增加结构与光反射层相邻，并远离第二面，且与第一电极结构之位置相对应。另提供半导体发光元件之制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103682011A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210409068.6 | 申请日期 | 2012.10.24 |
| 申请人 | 联胜光电股份有限公司 | 发明人 | 颜伟昱;周理评;陈复邦;张智松 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人 | 杨波 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于该半导体发光元件包括：一发光的磊晶结构，具有相对的一第一面及一第二面；一第一电极结构，与该第一面电性相接；一光反射层，与该第二面相邻；以及一电阻增加结构，与该光反射层相邻，并远离该第二面，且与该第一电极结构的位置相对应。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市西屯区科园三路8号 | ||