发明名称 |
功率半导体元件 |
摘要 |
一种功率半导体元件,具备第1电极、第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第4半导体层、第2电极、第1控制电极和第1绝缘膜。第1半导体层设在第1电极之上,是第1导电型。第2半导体层设在第1半导体层之上,是第2导电型。第3半导体层在第1半导体层之上、与第2半导体层离开地设置,是第2导电型。第4半导体层设在第3半导体层之上,是第1导电型。第2电极设在第4半导体层之上,与第4半导体层电连接。第1控制电极在第2半导体层与第3半导体层之间、靠近第3半导体层侧设置。第1绝缘膜设在第1半导体层与第1控制电极之间、第2半导体层与第1控制电极之间、以及第3半导体层与第1控制电极之间。 |
申请公布号 |
CN103681824A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310367702.9 |
申请日期 |
2013.08.21 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
中村和敏;松田正;二宫英彰 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐殿军 |
主权项 |
一种功率半导体元件,其特征在于,具备:第1电极;第1导电型的第1半导体层,设在上述第1电极之上;第2导电型的第2半导体层,设在上述第1半导体层之上;第2导电型的第3半导体层,与上述第2半导体层离开而设在上述第1半导体层之上;第1导电型的第4半导体层,设在上述第3半导体层之上;第2电极,设在上述第4半导体层之上,与上述第4半导体层电连接;第1控制电极,在上述第2半导体层与上述第3半导体层之间、靠近上述第3半导体层侧设置;以及第1绝缘膜,在上述第1半导体层与上述第1控制电极之间、上述第2半导体层与上述第1控制电极之间、以及上述第3半导体层与上述第1控制电极之间设置。 |
地址 |
日本东京都 |