| 发明名称 | 混合光学和电子束光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种混合光学和电子束光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；进行第一光刻/刻蚀，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；进行第二光刻/刻蚀，形成第二硬掩模图形；采用各向异性刻蚀技术，刻蚀结构材料层，形成所需要的光学及电子束线条。依照本发明的混合光学和电子束光刻方法，将同一层次图形按线条大小进行分开处理，大的线条采用光学曝光，而精细图形采用电子束曝光，可以大幅缩减曝光时间，提高产能。 | ||
| 申请公布号 | CN103681251A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210353673.6 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孟令款;李春龙;贺晓彬 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种混合光学和电子束光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；进行第一光刻/刻蚀，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；进行第二光刻/刻蚀，形成第二硬掩模图形；采用各向异性刻蚀技术，刻蚀结构材料层，形成所需要的光学及电子束线条。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||