一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层和一层间介电层；形成用于填充互连金属的沟槽和通孔；采用等离子体蚀刻工艺去除所述通孔下方的蚀刻停止层，其中所述去除过程包括：先执行一后蚀刻处理过程，以去除形成在所述沟槽和所述通孔中的蚀刻残留物质和杂质；再采用基于CF4、CO2和CO的蚀刻气体执行所述等离子体蚀刻。根据本发明，在蚀刻所述通孔下方的蚀刻停止层时，对所述层间介电层的损伤很小，且在所述通孔的底部不会形成所述后蚀刻处理难以去除的物质，保证所述通孔的侧壁和底部的表面平整度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层和一层间介电层；形成用于填充互连金属的沟槽和通孔；采用等离子体蚀刻工艺去除所述通孔下方的蚀刻停止层，其中所述去除过程包括：先执行一后蚀刻处理过程，以去除形成在所述沟槽和所述通孔中的蚀刻残留物质和杂质；再采用基于CF4、CO2和CO的蚀刻气体执行所述等离子体蚀刻。