化学气相沉积设备的基材保持器

摘要

本发明涉及一种基材保持器(6)，其在用于处理半导体基材的设备(1)的处理室(4)中使用，该基材保持器具有平的上侧面(5)，在所述上侧面中具有至少一个用于容纳基材的凹陷(12)，其中，所述凹陷(12)具有底面(13)和环形封闭的壁(14)，具有多个从壁(14)向凹陷内突伸的突起(15)，所述突起构成用于支撑基材的边缘段的支撑面(19)，其中，凹陷(12)的所有的支撑面(19)位于一个公共的平面(E)内，该平面在穿过底面(13)的最高抬升的平面(12)上方延伸，并且在上侧面(5)下方延伸。在对于上侧面的俯视图中，壁(14)应该分别在突起(15)的区段(16)内直线状延伸。设有多个在圆周方向上彼此间隔开的距离元件，用以对放置在凹陷(12)内的基材(24)定中心。这些距离元件应该由壁(14)的俯视上侧面(5)时呈直线状延伸的区段(16)构成。

主权项

基材保持器(6)，其在用于处理半导体基材的设备(1)的处理室(4)中使用，所述基材保持器具有平的上侧面(5)，在所述上侧面中具有至少一个用于容纳接收基材的凹陷(12)，其中，所述凹陷(12)具有底面(13)和环形封闭的壁(14)，具有多个从壁(14)向凹陷内突伸的突起(15)，所述突起构成用于支撑基材的边缘段的支撑面(19)，其中，凹陷(12)的所有的支撑面(19)位于一个公共的平面(E)内，该平面在通过底面(13)的最高抬升部的平面(20)上方延伸，并且在上侧面(5)下方延伸，其特征在于，在对于上侧面的俯视图中，所述壁(14)分别在突起(15)的区段(16)内直线状延伸。