| 发明名称 | 锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜、制备方法及其应用 | ||
| 摘要 | 一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，其化学式为SnO2：xSb5+,yBi5+，其中，0.005≤x≤0.15，0.005≤y≤0.08。该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的可见光透过率达95%，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的制备方法及其应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103668084A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210350684.9 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 | 发明人 | 周明杰;王平;陈吉星;冯小明 |
| 分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，其特征在于，其化学式为SnO2：xSb5+,yBi5+，其中，0.005≤x≤0.15，0.005≤y≤0.08。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||