无结半导体器件、其制造方法以及包括该器件的设备

摘要

本发明公开一种无结半导体器件、其制造方法以及包括该器件的设备。具有埋入式栅极的半导体器件的源极、漏极和主体掺有相同类型的杂质，因而该无结半导体器件不包括位于源极与主体之间或位于主体与漏极之间的PN结。结果，减小了由GIDL导致的漏电流，从而改善了半导体器件的操作特性，而且使电流流动区的尺寸增大，因而使操作电流增大。

主权项

一种无结半导体器件，包括：有源区，其设置在底基板上方并由所述底基板上的器件隔离膜限定；绝缘层，其设置在所述有源区与所述底基板之间；以及多个埋入式栅极，其形成在所述器件隔离膜和所述有源区中，其中，位于所述埋入式栅极周围的所述有源区中的源极区、漏极区和主体掺有相同类型的杂质。