发明名称 半导体存储器装置和电子装置
摘要 本发明公开了半导体存储器装置和电子装置。一种半导体存储器装置包括:多个存储器块MBA0、MBA1、MBB0、MBB1;与该多个存储器块分别相关联地设置的多条总线线路26;多个输入/输出端口22a、22b;选择器28a、28b,该选择器28a、28b选择性地将该多条总线线路中的每一条连接到该多个输入/输出端口中的一个;以及设定单元38a、38b,该设定单元38a、38b设定该选择器的连接。
申请公布号 CN103678191A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310450572.5 申请日期 2013.09.25
申请人 富士通半导体股份有限公司 发明人 藤冈伸也
分类号 G06F13/16(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I 主分类号 G06F13/16(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 李晓冬
主权项 一种半导体存储器装置,包括:多个存储器块;与所述多个存储器块分别相关联地设置的多条总线线路;多个输入/输出端口;选择器,该选择器选择性地将所述多条总线线路中的每一条连接到所述多个输入/输出端口中的任一个;以及设定单元,该设定单元设定所述选择器的连接。
地址 日本神奈川县