发明名称 | 一种适合不同位宽数据的存储装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种适合不同位宽数据的存储装置,包括:DI数据采集单元、DI数据输出单元、数据输入预存储单元、数据输出预存储单元、数据量调整控制逻辑单元、数据读写控制逻辑单元和同步动态随机存储器SDRAM控制器;其中,DI数据采集单元的每通道的DI数据采集位数与DI数据输出单元的输出位数由数据量调整控制逻辑单元确定;数据读写控制逻辑单元读取数据输入预存储单元的数据并写入SDRAM控制器,还用于读取SDRAM控制器中的数据,并输出至数据输出预存储单元,并最终由DI数据输出单元输出。本发明的存储装置,适用于多通道不同位宽的数据高速采集和存储;可提高存储效率,降低成本;具有通用性,能够适应不同类型的存储器。 | ||
申请公布号 | CN103680600A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
申请号 | CN201310701576.6 | 申请日期 | 2013.12.18 |
申请人 | 北京航天测控技术有限公司 | 发明人 | 杨立杰;史雄伟;张伟楠;胡志臣;李浩璧 |
分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 田俊峰 |
主权项 | 一种适合不同位宽数据的存储装置,其特征在于,包括:DI数据采集单元、DI数据输出单元、数据输入预存储单元、数据输出预存储单元、数据量调整控制逻辑单元、数据读写控制逻辑单元和同步动态随机存储器SDRAM控制器;其中,DI数据采集单元的每通道的DI数据采集位数与DI数据输出单元的输出位数由数据量调整控制逻辑单元确定,DI数据采集单元采集到的数据先写入数据输入预存储单元,数据读写控制逻辑单元读取数据输入预存储单元的数据并写入SDRAM控制器;数据读写控制逻辑单元读取SDRAM控制器中的数据,并将读取的数据输出至数据输出预存储单元,并最终由DI数据输出单元输出。 | ||
地址 | 100041 北京市石景山区实兴东街3号 |