发明名称 |
III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 |
摘要 |
本发明提供包含具有良好表面形态的半极性外延膜的III族氮化物半导体元件。包含III族氮化物半导体的支撑基体13的主面13a沿着与基准轴Ax正交的基准平面RSUB延伸,所述基准轴Ax相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA倾斜。基准轴Ax沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴的方向以10度以上且小于80度的范围内的第一角度ALPHA1倾斜。主面13a显示出半极性。基准轴Ax从该III族氮化物半导体的c轴向a轴的方向以-0.30度以上且+0.30度以下的范围内的第二角度ALPHA2倾斜。基准轴Ax在主面13a的法线方向上延伸。外延半导体区域15的最表面15a的形态包含多个凹坑,该凹坑的凹坑密度为5×104cm-2以下。 |
申请公布号 |
CN102474075B |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201080031730.8 |
申请日期 |
2010.07.13 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
盐谷阳平;善积祐介;京野孝史;住友隆道;秋田胜史;上野昌纪;中村孝夫 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
王海川;穆德骏 |
主权项 |
一种III族氮化物半导体元件,其中,包括:支撑基体,其包含III族氮化物半导体,且具有沿着与基准轴正交的第一基准平面延伸的主面,和外延半导体区域,其设置在所述支撑基体的所述主面上;所述外延半导体区域包含多个氮化镓基半导体层,当将所述III族氮化物半导体的c轴朝向作为所述III族氮化物半导体的m轴的第一晶轴与所述基准轴形成的平面投影时,所述基准轴相对于该投影后的c轴以10度以上且小于80度的范围的第一角度ALPHA1倾斜,当将所述III族氮化物半导体的所述c轴朝向作为所述III族氮化物半导体的a轴的第二晶轴与所述基准轴形成的平面投影时,所述基准轴相对于该投影后的c轴以‑0.30度以上且+0.30度以下的范围的第二角度ALPHA2倾斜,所述外延半导体区域的最表面的形态包含多个凹坑,所述凹坑的凹坑密度为5×104cm‑2以下。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |