薄膜晶体管

摘要

本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管设置在基板上，所述薄膜晶体管包括：栅极电极；覆盖在所述栅极电极上的栅极绝缘膜；隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极相对配置的半导体层；与所述半导体层连接的源极电极；和与所述源极电极分离且与所述半导体层连接的漏极电极，所述半导体层包括金属氧化物半导体，且具有：与所述源极电极接触的源极部；与所述漏极电极接触的漏极部；和这些源极部与漏极部之间的沟道部，所述金属氧化物半导体包含In的氧化物，在所述半导体层中，至少在所述沟道部形成有与其他部分相比In单质的含有率高的还原区域，所述还原区域设置于整个所述沟道部。