发明名称 |
一种MEMS开关仿真分析方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MEMS开关仿真分析方法,其包括如下步骤:a)建立MEMS开关的有限元模型;b)分析MEMS开关在通电情况下的输出性能及内部磁场强度分布情况;c)根据分析结果,对MEMS开关的结构进行优化。本发明首次提供了一种MEMS开关仿真分析方法,通过本发明方法建立MEMS开关的有限元模型,从而可掌握通入电压以及结构设计对MEMS开关输出性能的影响,进而为MEMS开关结构优化与设计提供依据。本发明应用性强,可用于MEMS开关双稳态工作机理的研究中,对MEMS开关的性能监测具有重要价值。 |
申请公布号 |
CN103678804A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310675674.7 |
申请日期 |
2013.12.11 |
申请人 |
上海工程技术大学 |
发明人 |
苗晓丹;戴旭涵;黄奕 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
何葆芳 |
主权项 |
一种MEMS开关仿真分析方法,其特征在于,包括如下步骤:a)建立MEMS开关的有限元模型;b)分析MEMS开关在通电情况下的输出性能及内部磁场强度分布情况;c)根据分析结果,对MEMS开关的结构进行优化。 |
地址 |
201620 上海市松江区龙腾路333号 |