发明名称 一种MEMS开关仿真分析方法
摘要 本发明公开了一种MEMS开关仿真分析方法,其包括如下步骤:a)建立MEMS开关的有限元模型;b)分析MEMS开关在通电情况下的输出性能及内部磁场强度分布情况;c)根据分析结果,对MEMS开关的结构进行优化。本发明首次提供了一种MEMS开关仿真分析方法,通过本发明方法建立MEMS开关的有限元模型,从而可掌握通入电压以及结构设计对MEMS开关输出性能的影响,进而为MEMS开关结构优化与设计提供依据。本发明应用性强,可用于MEMS开关双稳态工作机理的研究中,对MEMS开关的性能监测具有重要价值。
申请公布号 CN103678804A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310675674.7 申请日期 2013.12.11
申请人 上海工程技术大学 发明人 苗晓丹;戴旭涵;黄奕
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人 何葆芳
主权项 一种MEMS开关仿真分析方法,其特征在于,包括如下步骤:a)建立MEMS开关的有限元模型;b)分析MEMS开关在通电情况下的输出性能及内部磁场强度分布情况;c)根据分析结果,对MEMS开关的结构进行优化。
地址 201620 上海市松江区龙腾路333号
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