发明名称 |
一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置 |
摘要 |
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置。一种电极引出结构,包括衬底电极、隔离层和引出电极,所述隔离层位于所述衬底电极上方,所述引出电极位于所述隔离层上方,所述隔离层中开设有隔离层过孔或者所述隔离层部分覆盖所述衬底电极,所述引出电极覆盖所述隔离层过孔的孔壁和孔底,并沿所述隔离层过孔的上缘向远离所述隔离层过孔的方向与所述隔离层交叠。本发明的阵列基板由于采用了具有交叠结构的电极结构,使得水和氧的浓度梯度由外向内逐渐变小,可以有效地阻止外界的H2O和O2对金属氧化物的影响,使得采用金属氧化物半导体形成有源层的TFT的性能更稳定、信赖性更高,也同时增加了阵列基板的稳定性。 |
申请公布号 |
CN103681696A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310722613.1 |
申请日期 |
2013.12.24 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
刘翔 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种电极引出结构,包括衬底电极、隔离层和引出电极,所述隔离层位于所述衬底电极上方,所述引出电极位于所述隔离层上方,所述隔离层中开设有隔离层过孔或者所述隔离层部分覆盖所述衬底电极,其特征在于,所述引出电极覆盖所述隔离层过孔的孔壁和孔底,并沿所述隔离层过孔的上缘向远离所述隔离层过孔的方向与所述隔离层交叠;或者,所述引出电极覆盖所述隔离层的层壁,并沿所述隔离层层壁上缘向远离所述层壁的方向与所述隔离层的表面交叠,以及沿所述隔离层层壁下缘向远离所述层壁的方向与未被所述隔离层覆盖的所述衬底电极交叠。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |