| 发明名称 | 用于基底的非原位分析的系统和方法 | ||
| 摘要 | 公开了用于基底的非原位分析的系统和方法。本发明披露了一种用于制作供在非原位TEM、SEM、或STEM程序中使用的不对称薄层的方法和系统。薄层的形状提供用于容易定向，从而使得可以在化学分析的TEM、SEM、或STEM程序中来自碳膜最少的光学和光谱干扰的条件下将该薄层内的相关区放置在碳膜内的孔上。 | ||
| 申请公布号 | CN103675358A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310440696.5 | 申请日期 | 2013.09.25 |
| 申请人 | FEI 公司 | 发明人 | T.G.米勒;J.阿加瓦奇;D.希尔;M.斯特劳斯;G.N.A.范韦恩 |
| 分类号 | G01Q30/20(2010.01)I;H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | G01Q30/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐红燕;马永利 |
| 主权项 | 一种用于非原位TEM/STEM/SEM分析的方法，包括：用聚焦离子束在真空室内制作样品，其中，所述样品具有不对称TEM标准观察侧；所述样品具有用于TEM/STEM/SEM分析的相关区；将所述样品移出该真空室并将其放置在包含碳膜的碳栅格上；所述碳膜包括多个孔；将所述样品放置该碳栅格上，其中，该不对称TEM标准观察侧允许相关区在所述样品中正确地定向从而基本铺设在所述多个孔之一上。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||