发明名称 |
集成电路充电驱动器及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种集成电路充电驱动器及其制造方法。该制造方法包括:提供基板,基板是p+/p-型外延基板并用作PNP管的集电极,基板包含PNP区和NMOSFET区;在基板的NMOSFET区中形成n型埋层;分别在PNP区的两侧和NMOSFET区的两侧形成p型下隔离;沉积n-外延,n-外延由p型下隔离隔断以形成n-外延岛;在p型下隔离上形成p型上隔离,且n型埋层位于NMOSFET的p阱下方;在n-外延岛上形成多个n+区,PNP区中的n+区用作基极且NMOSFET区中的n+区分别用作源极和漏极;在n-外延岛上形成多个p+区,PNP区中的p+区用作发射极,且NMOSFET区中的p+区用作p阱;以及在NMOSFET区上进一步形成栅极。 |
申请公布号 |
CN103681513A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310713868.1 |
申请日期 |
2013.12.20 |
申请人 |
上海岭芯微电子有限公司 |
发明人 |
汪义;曾蕴浩;王炜;胡舜涛;王强;罗菊亚;张宏林 |
分类号 |
H01L21/8249(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8249(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种集成电路充电驱动器的制造方法,其特征在于,所述集成电路充电驱动器集成有PNP管和NMOSFET管,该制造方法包括:a.提供基板,所述基板是p+/p‑型外延基板并用作所述PNP管的集电极,所述基板包含PNP区和NMOSFET区;b.在所述基板的NMOSFET区中形成n型埋层;c.分别在所述PNP区的两侧和所述NMOSFET区的两侧形成p型下隔离;d.沉积n‑外延,所述n‑外延由所述p型下隔离隔断以形成n‑外延岛;e.在所述p型下隔离上形成p型上隔离,所述p型上隔离在所述NMOSFET区中进一步用作p阱,且所述n型埋层位于NMOSFET的p阱下方;f.在所述n‑外延岛上形成多个n+区,所述PNP区中的n+区用作基极且所述NMOSFET区中的n+区分别用作源极和漏极;g.在所述n‑外延岛上形成多个p+区,所述PNP区中的p+区用作发射极以形成所述PNP管,且所述NMOSFET区中的p+区用作p阱;以及h.在所述NMOSFET区上进一步形成栅极,以形成所述NMOSFET管。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区宜山路810号贝岭大厦15楼 |