| 发明名称 | 绝缘栅双极晶体管 | ||
| 摘要 | 提供了一种绝缘栅双极晶体管，该晶体管包括：有源区，该有源区包括栅极电极、第一发射极金属层、第一阱区和一部分的第三阱区；截止区，该截止区包括支持耗尽层扩散的第二阱区；以及位于所述有源区和所述截止区之间的连接区，该连接区包括第二发射极金属层、栅极金属层和所述第三阱区的其他部分，其中所述第三阱区在所述有源区和所述连接区上形成，以及所述第一发射极金属层和所述第二发射极金属层在所述第三阱区上形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103681820A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210450970.2 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 宋寅赫;朴在勋;徐东秀 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 肖冰滨;陈潇潇 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极晶体管，该晶体管包括：有源区，该有源区包括栅极电极、第一发射极金属层、第一阱区和一部分的第三阱区；截止区，该截止区包括支持耗尽层扩散的第二阱区；以及连接区，位于所述有源区和所述截止区之间，且包括第二发射极金属层、栅极金属层和所述第三阱区的其他部分，其中所述第三阱区在所述有源区和所述连接区上形成，并且所述第一发射极金属层和所述第二发射极金属层在所述第三阱区上形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||