发明名称 |
NLDMOS器件及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种NLDMOS器件,在器件漏端增加了一道P型注入,使漏端同时具有重掺杂P型区和重掺杂N型区,重掺杂P型区可增加漏端的空穴电流,同时重掺杂N型区可避免由于增加重掺杂P型区所形成的PN结开启电压,使器件输出特性曲线通过漏端电压的零点,NLDMOS的漏端由重掺杂N型区和重掺杂P型区共同引出形成,使器件导通电流增加,降低了器件的导通电阻。本发明还公开了所述NLDMOS器件的制造方法,可集成在BCD工艺中。 |
申请公布号 |
CN103681839A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210332454.X |
申请日期 |
2012.09.10 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
段文婷;石晶;刘冬华;胡君;钱文生 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种NLDMOS器件,其特征在于:在P型硅衬底上具有N型埋层,N型埋层之上为N型深阱;所述NLDMOS器件的多晶硅栅极,位于N型深阱之上的硅表面,且与硅表面之间间隔一层栅氧化层,多晶硅栅极及栅氧化层两端均具有氧化物侧墙;所述多晶硅栅极一侧的N型深阱中,具有一P型阱,所述P型阱一侧位于栅氧化层下方的N型深阱中,另一侧位于一场氧下,P型阱中具有第一重掺杂P型区及第一重掺杂N型区,且第一重掺杂P型区与第一重掺杂N型区之间间隔一场氧,所述第一重掺杂N型区位于栅极侧墙下,第一重掺杂N型区作为LDMOS器件的源区引出;所示多晶硅栅极的另一侧N型深阱中,一场氧位于该侧栅极侧墙下,其与另一场氧之间具有一漏端N型阱,所述漏端N型阱中,具有注入形成的第二重掺杂P型区和与之抵靠接触的第二重掺杂N型区,所述第二重掺杂P型区和第二重掺杂N型区共同作为LDMOS器件的漏区引出;在器件表面具有多个接触孔及引线引出第一重掺杂P型区、第一重掺杂N型区、第二重掺杂P型区、第二重掺杂N型区,且第二重掺杂P型区和第二重掺杂N型区的接触孔连接同一引线作为LDMOS的漏极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |