| 发明名称 | 层叠封装结构中的无源器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了层叠封装结构中的无源器件及其形成方法，其中该器件包括聚合物。器件管芯设置在聚合物中。无源器件包括穿透聚合物的三个组件通孔(TAV)，其中TAV串联连接。再分布线(RDL)位于聚合物下方。RDL将TAV中的第一个电连接至TAV中的第二个。 | ||
| 申请公布号 | CN103681561A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310024884.X | 申请日期 | 2013.01.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈志华;陈承先 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种器件，包括：聚合物；器件管芯，位于所述聚合物中；以及无源器件，包括：三个组件通孔(TAV)，穿透所述聚合物，所述三个TAV串联连接；以及第一再分布线(RDL)，位于所述聚合物下方，所述第一RDL将所述三个TAV中的第一个TAV与所述三个TAV中的第二个TAV电连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||