| 发明名称 | III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。 | ||
| 申请公布号 | CN101949058B | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201010226869.X | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 藤仓序章;江利健 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种III族氮化物半导体自立基板，其特征在于，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含单一结晶面，所述单一结晶面具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||