太阳能电池及其制造方法

摘要

一种在n掺杂的硅衬底上的太阳能电池，具有：设置在第一主表面中的n+基极区域和在第二主表面中设置的p+掺杂的发射极区域，施加在第一主表面上的指状的基极接触结构，分别带有能够焊接的接触面的、施加在第二主表面上的发射极接触部和同样施加在那里的基极接触轨；以及将第一主表面的指状的接触结构与第二主表面上的基极接触轨连接的穿通接触部、通孔，由此发射极区域以及基极区域通过第二主表面上的焊接接触面连接，其中第二主表面局部地、至少在基极接触轨的区域中没有p+发射极掺杂，并且第一主表面和第二主表面的预先确定的区域至少在通孔周围具有n+n结并且由此具有前表面场。

主权项

一种太阳能电池，具有：n掺杂的半导体衬底，其具有在使用状态中用作光入射侧的第一主表面和用作背面的第二主表面，设置在第一主表面中的n+掺杂的基极区域和设置在第二主表面中的p+掺杂的发射极区域，施加在第一主表面上的指状的基极接触结构，分别带有能够焊接的接触面的、施加在第二主表面上的发射极接触结构和同样施加在那里的基极接触轨；以及将第一主表面的指状的接触结构与第二主表面上的接触轨连接的多个穿通接触部，由此除了发射极区域也能够通过第二主表面上的焊接接触面接触基极区域，其中第二主表面局部地、至少在基极接触轨的区域中没有p+发射极掺杂，并且第一主表面和第二主表面的预先确定的区域至少在穿通接触部周围具有n+n结并且由此具有前表面场。