非易失性存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种在低电压下稳定地发生电阻变化，适合微细化的电阻变化型非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：基板(100)；第一电极(101)；层间绝缘层(102)；形成于层间绝缘层的存储器单元孔(103)；第一电阻变化层(104a)，其形成于存储器单元孔的至少底部，与第一电极连接；第二电阻变化层(104b)，其形成于存储器单元孔(103)内的第一电阻变化层(104a)上；和第二电极(105)，第一电阻变化层(104a)和第二电阻变化层(104b)由同种金属氧化物构成，第一电阻变化层(104a)的氧含有率比第二电阻变化层(104b)的氧含有率高。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储装置，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的第一电极；形成于所述基板和所述第一电极上的层间绝缘层；在所述第一电极上的所述层间绝缘层形成的存储器单元孔；第一电阻变化层，其形成于所述存储器单元孔的至少底部，与所述第一电极连接；第二电阻变化层，其形成于所述存储器单元孔的内部，形成于所述第一电阻变化层上；和第二电极，其覆盖所述第二电阻变化层，形成于所述层间绝缘层上，其中所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层含有同种金属氧化物，第一电阻变化层的氧含有率比第二电阻变化层的氧含有率高，所述第一电阻变化层除了形成于所述存储器单元孔的底部，还形成于所述存储器单元孔的侧壁的至少一部分，在与所述基板平行的截面视图中，在所述存储器单元孔的侧壁形成的所述第一电阻变化层，沿着所述存储器单元孔的内壁形成为环状。