发明名称 |
非易失性存储器及用于在初始编程电压的修整期间减少擦除/写入循环的方法 |
摘要 |
高性能非易失性存储器装置具有针对个别类型的存储器页及字线而修整的编程电压。在连续的编程循环中测试存储器的每一可擦除块内的字线群组以最小化引发过多数量的擦除/编程循环的问题。从存储器页中的类似存储器页的样本的统计结果导出给定类型的存储器页的最佳编程电压。 |
申请公布号 |
CN101512665B |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN200780033573.2 |
申请日期 |
2007.08.30 |
申请人 |
桑迪士克科技公司 |
发明人 |
李彦;洛克·杜;查尔斯·莫阿纳·胡克 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C29/50(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
刘国伟 |
主权项 |
一种在具有组织为可擦除块的存储器单元阵列的非易失性存储器中确定给定页的开始编程电压的方法,每一可擦除块包含用于存取可一同擦除的存储器单元的字线块,且每一字线包含可一同编程的至少一个存储器单元页,所述方法包含:(a)选择代表块内所述给定页的页样本;(b)提供用于对所述样本的每一页进行编程的相关联编程电压,所述相关联编程电压具有阶梯状波形,所述阶梯状波形具有相关联的初始值及预定数量的步长;(c)擦除包含所述页样本的所述块;(d)针对所述样本中的每个页确定所述页使用具有所述相关联初始值的所述相关联编程电压是否可编程为目标图案;且如果可编程,那么在将所述相关联初始值累积为所收集统计数据的部分之后排除所述页不做进一步处理,否则将所述相关联初始值递增预定的步长;(e)重复(c)到(d),直到所述样本中的所有页已被确定为可编程或所述相关联初始值已被递增到预定的最大电压为止;(f)根据所述所收集的统计数据计算所述样本的平均开始编程电压以导出所述页的开始编程电压。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |