发明名称 |
影像传感器结构及其制法 |
摘要 |
本发明揭示影像传感器结构及其制法以避免或减轻暗影效应。该影像传感器结构包括基底;传感元件阵列,其设置于基底表面;介电层,其覆盖传感元件阵列,介电层包括上表面,上表面包括凹盘结构;底层,其填入于凹盘结构,底层具有折射率,其折射率大于介电层的折射率;滤光片阵列,设置于底层上,对应传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于滤光片阵列上。可另设置顶层覆盖滤光片阵列,再设置微透镜阵列。 |
申请公布号 |
CN102024829B |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN200910174746.3 |
申请日期 |
2009.09.17 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
余政宏 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种影像传感器结构,包括:基底;传感元件阵列,其设置于该基底表面;介电层,其覆盖该传感元件阵列,该介电层包括上表面,该上表面包括凹盘结构;底层,其填入于该凹盘结构,该底层具有折射率,该折射率大于该介电层的折射率;滤光片阵列,设置于该底层上,对应该传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于该滤光片阵列上,其中该些微透镜位于边缘的节距与位于中心的节距不相同。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |