发明名称 影像传感器结构及其制法
摘要 本发明揭示影像传感器结构及其制法以避免或减轻暗影效应。该影像传感器结构包括基底;传感元件阵列,其设置于基底表面;介电层,其覆盖传感元件阵列,介电层包括上表面,上表面包括凹盘结构;底层,其填入于凹盘结构,底层具有折射率,其折射率大于介电层的折射率;滤光片阵列,设置于底层上,对应传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于滤光片阵列上。可另设置顶层覆盖滤光片阵列,再设置微透镜阵列。
申请公布号 CN102024829B 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN200910174746.3 申请日期 2009.09.17
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 余政宏
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2011.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种影像传感器结构,包括:基底;传感元件阵列,其设置于该基底表面;介电层,其覆盖该传感元件阵列,该介电层包括上表面,该上表面包括凹盘结构;底层,其填入于该凹盘结构,该底层具有折射率,该折射率大于该介电层的折射率;滤光片阵列,设置于该底层上,对应该传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于该滤光片阵列上,其中该些微透镜位于边缘的节距与位于中心的节距不相同。
地址 中国台湾新竹科学工业园区