半导体陶瓷以及正温度系数热敏电阻

摘要

本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。

主权项

一种半导体陶瓷，其为实质不含Pb的非铅系的半导体陶瓷，所述半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Na、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，在设构成所述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时的、所述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20，且在设构成所述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时的、所述Na和所述Bi的含有量的合计换算为摩尔比是0.02～0.20，在设构成所述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时的、所述稀土类元素的含有量换算为摩尔比是0.0005～0.015。