发明名称 |
磁性记录介质的制造方法及其装置 |
摘要 |
本公开提供了一种磁性记录介质的制造方法和装置。在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层,在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下,用气相润滑成膜方法形成所述润滑层,当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P1,所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时,在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上,设置满足P3>P1、且P3>P2的关系的气体压力P3的区域。根据本发明方法和装置,可以防止所形成的层的质量的下降,同时提高生产率。 |
申请公布号 |
CN103680526A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310410975.7 |
申请日期 |
2013.09.11 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
茑谷泰之;盐见大介;上野谕;太田一朗;冈部健彦 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;杨光军 |
主权项 |
一种在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层的磁性记录介质的制造方法,在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下,用气相润滑成膜方法形成所述润滑层,当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P1,所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时,在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上,设置满足P3>P1、且P3>P2的关系的气体压力P3的区域。 |
地址 |
日本东京都 |