发明名称 像素结构
摘要 本发明提供一种像素结构,其包括:薄膜晶体管基板(20)、彩色滤光片基板(30)及液晶层(40),所述薄膜晶体管基板(20)包括第一透明基板(22)及像素电极(24),所述彩色滤光片基板(30)包括第二透明基板(32)及公共电极(34),所述像素电极(24)包括第一子像素电极(26)和第二子像素电极(28),所述公共电极(34)包括第一子公共电极(36)和第二子公共电极(38),所述第一子像素电极(26)与第一子公共电极(36)具有第一电压差,所述第二子像素电极(28)与第二子公共电极(38)具有第二电压差,所述第一电压差大于或小于第二电压差。
申请公布号 CN103676389A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310733624.X 申请日期 2013.12.26
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 罗时勋;郭晋波;黄世帅
分类号 G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I 主分类号 G02F1/1368(2006.01)I
代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人 林才桂
主权项 一种像素结构,其特征在于,包括:薄膜晶体管基板(20)、与薄膜晶体管基板(20)相对设置的彩色滤光片基板(30)、及设于薄膜晶体管基板(20)与彩色滤光片基板(30)之间的液晶层(40),所述薄膜晶体管基板(20)包括第一透明基板(22)及设于第一透明基板(22)朝向彩色滤光片基板(30)一侧上的像素电极(24),所述彩色滤光片基板(30)包括第二透明基板(32)及设于第二透明基板(32)朝向薄膜晶体管基板(20)一侧上的公共电极(34),所述像素电极(24)包括第一子像素电极(26)和第二子像素电极(28),所述公共电极(34)包括第一子公共电极(36)和第二子公共电极(38),所述第一子像素电极(26)与第一子公共电极(36)具有第一电压差,所述第二子像素电极(28)与第二子公共电极(38)具有第二电压差,所述第一电压差大于或小于第二电压差。
地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
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