垂直的微电子元件以及相应的制造方法

摘要

本发明实现了一种垂直的微电子元件以及相应的制造方法。该垂直的微电子元件包括半导体基（1；1’’’）以及大量在半导体基（1；1’’’）的正面（O）上形成的鳍状物（1a、1b）的结构，所述半导体基具有正面（O）和背面（R），所述鳍状物具有相应的侧壁（S）和相应的上侧（T）并且通过凹穴（G）相互分开。每个鳍状物（1a、1b）包括至少一个GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b）以及至少一个门接口区域（G1-G4），所述GaN/AlGaN-异层区域形成在侧壁（S）上并且具有嵌入的通道区域（K），该通道区域基本上平行于侧壁（S）延伸，所述门接口区域在GaN/AlGaN-异层区域（2a、2b）上方与所属的凹穴（G）中的通道区域（K）电绝缘地布置在侧壁（S）上。共同的源接口区域（SL）布置在鳍状物（1a、1b）上方并且与鳍状物（1a、1b）上侧（T）附近的通道区域（K）的各个第一端部连接。共同的排出接口区域（DL）布置在背面（R）的上方并且与半导体基（1、1’’’）的正面（O）附近的通道区域（K）的各个第二端部连接。

主权项

垂直的微电子元件，其具有半导体基（1；1’’’），该半导体基具有正面（O）和背面（R）；大量在半导体基（1；1’’’）的正面（O）上形成的鳍状物（1a、1b）的结构，所述鳍状物具有相应的侧壁（S）和相应的上侧（T）并且通过凹穴（G）相互分开；其中每个鳍状物（1a、1b）具有：       至少一个GaN/AlGaN‑异层区域（2a、2b），所述GaN/AlGaN‑异层区域形成在侧壁（S）上并且具有嵌入的通道区域（K），该通道区域基本上平行于侧壁（S）延伸；       至少一个门接口区域（G1‑G4），该门接口区域在GaN/AlGaN‑异层区域（2a、2b）上方相对于所属的凹穴（G）中的通道区域（K）电绝缘地布置在侧壁（S）上；共同的源接口区域（SL），该源接口区域布置在鳍状物（1a、1b）上方并且与鳍状物（1a、1b）上侧（T）附近的通道区域（K）的各个第一端部连接；以及共同的排出接口区域（DL），该排出接口区域布置在背面（R）的上方并且与半导体基（1、1’’’）的正面（O）附近的通道区域（K）的各个第二端部连接。