发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
为了抑制电感器引起的噪声向外界泄漏并且也被配置为使得磁场强度改变到达电感器。电感器在平面图中包围内部电路并且也电耦合到内部电路。上屏蔽部分覆盖电感器的上侧,并且下屏蔽部分覆盖电感器的下侧。通过使用多层布线层来形成上屏蔽部分。上屏蔽部分具有多个第一开口。第一开口在平面图中与电感器重叠。 |
申请公布号 |
CN103681601A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310410095.X |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
桥本隆介;内田慎一;中柴康隆;根本敬继 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;G01R15/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:衬底;内部电路;在所述衬底之上形成的多层布线层;电感器,所述电感器通过使用所述多层布线层来形成并且所述电感器被提供以便在平面图中包围所述内部电路,并且所述电感器的两端耦合到所述内部电路;上屏蔽部分,所述上屏蔽部分通过使用所述多层布线层来形成、在所述平面图中与所述电感器重叠、位于在厚度方向上高于所述电感器的层中并且具有各自与所述电感器重叠的多个第一开口;以及下屏蔽部分,所述下屏蔽部分在所述平面图中与所述电感器重叠并且位于在所述厚度方向上低于所述电感器的层中。 |
地址 |
日本神奈川县 |