| 发明名称 | 一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法。该方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成至少一个沟槽；用具有应力的金属或其亚金属氧化物来填充所述至少一个沟槽；以及将所述金属或其亚金属氧化物转变为金属氧化物电介质。本发明通过使用晶体金属氧化物电介质来代替非晶电介质作为浅沟槽隔离结构中的隔离材料，可以提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103681446A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210331626.1 | 申请日期 | 2012.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;赵超;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种制造浅沟槽隔离（STI）结构的方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成至少一个沟槽；用具有应力的金属或其亚金属氧化物来填充所述至少一个沟槽；以及将所述金属或其亚金属氧化物转变为金属氧化物电介质。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||