发明名称 |
纳米腔诱导共振磁光克尔效应晶体材料的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种制备具有纳米腔结构共振磁光克尔效应晶体材料的方法,制备方法包括模板的制备和磁性材料电化学沉积,本发明制备的共振磁光材料的克尔信号表现为极陡峭共振信号,根据器件灵敏度公式,,这种磁光薄膜晶体材料对周围环境光学常数变化响应灵敏,可用于改善磁光器件的性能。 |
申请公布号 |
CN103668463A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310695403.8 |
申请日期 |
2013.12.18 |
申请人 |
曲阜师范大学 |
发明人 |
张霞;夏云杰;韩培高 |
分类号 |
C30B30/02(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C30B30/02(2006.01)I |
代理机构 |
济南泉城专利商标事务所 37218 |
代理人 |
袁敬清 |
主权项 |
一种纳米腔诱导共振磁光克尔效应晶体材料的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:(1)在玻璃衬底上溅射Cr层后,在Cr层溅射Ag薄膜;(2)利用自组织方法,在Ag薄膜上密排聚苯乙烯小球;(3)在聚苯乙烯小球纳米球间隙中沉积磁性材料;(4)溶去聚苯乙烯小球PSS,即得。 |
地址 |
273165 山东省济宁市曲阜市静轩西路57号 |