一种高压超结IGBT的制作方法

摘要

本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准后进行键合；将键合后的硅片背面减薄去除N层，露出N，P间隔排布的形貌；重复第三步，第四步，进行第二次键合；制作器件的正面，采用淀积P型应变SiGe层制作背面集电极层；采用金属Al/Ti/Ni/Ag制作背面金属层。本发明提供的一种高压超结IGBT的制作方法，具有较大高宽比，适合高压器件，也可以用于功率二极管，VDMOS以及其他功率器件。

主权项

一种高压超结IGBT的制作方法，其特征在于；包括如下步骤：第一步，分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；第二步，分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；第三步，将硅片正面抛光，然后用酸液处理；第四步，将处理过的两硅片精确对准后进行键合；第五步，将键合后的硅片背面减薄去除N层，露出N，P间隔排布的形貌；第六步，重复第三步，第四步，进行第二次键合；第七步，进行正面减薄后，制作器件的正面；第八步，将背面减薄，再在背面淀积P型应变SiGe层作为集电极层；第九步，采用金属Al/Ti/Ni/Ag制作背面金属层。