| 发明名称 | 电阻式存储器结构、其操作方法及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电阻式存储器结构、其操作方法及制作方法，该电阻式存储器结构包括一第一电极层、一披覆于该第一电极层的电阻切换层、一披覆于该电阻切换层的扩散金属层，及一披覆于该扩散金属层的第二电极层，其中在该电阻切换层内设置有至少一电极延伸部。 | ||
| 申请公布号 | CN103682091A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210425540.5 | 申请日期 | 2012.10.31 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 张鼎张;陈敏甄;徐咏恩;张冠张;简富彦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种电阻式存储器结构，其特征在于，包括：第一电极层；电阻切换层，披覆于该第一电极层，该电阻切换层内设置有至少一电极延伸部；扩散金属层，披覆于该电阻切换层；及第二电极层，披覆于该扩散金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||