| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极层，包括第一栅极层和第二栅极层；在栅极层一侧的衬底中形成第一掺杂区以及在衬底上形成第一侧墙；去除第二栅极层；在第一栅极层上形成第二侧墙；去除未被第二侧墙覆盖的第一栅极层，形成最终栅极线条。依照本发明的半导体器件制造方法，利用多个支撑侧墙来保护和控制栅极线条的形成，有效避免了小尺寸栅极线条的剥离，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103681335A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210345744.8 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵治国;尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极层，包括第一栅极层和第二栅极层；在栅极层一侧的衬底中形成第一掺杂区以及在衬底上形成第一侧墙；去除第二栅极层；在第一栅极层上形成第二侧墙；去除未被第二侧墙覆盖的第一栅极层，形成最终栅极线条。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||