外延温度测试监控结构及形成方法

摘要

本发明提供的外延温度测试监控结构及形成方法，方法包括：在衬底上生长介质层；在介质层中形成包括具有大小相等、第一间距一定的第一开口的监控结构窗口；消耗掉暴露出的部分衬底后生长出氧化层，去除介质层和氧化层，形成具有大小相等、第二间距具有台阶差的监控窗口；采用外延工艺在监控窗口上形成测试结构，并获得沿测试结构中的第三开口和位于第三开口间的第三间距发生外延畸变方向的图形数据；只变更外延工艺的温度，重复上述步骤，将每次获得的图形数据处理后分别对应变更后的外延工艺的温度做出关系图，形成监控手段，使外延温度的监控简单高效、操作性强，可迅速有效地监控外延温度，以减少由于温度偏差导致的产品风险。

主权项

一种外延温度测试监控结构的形成方法，其特征在于，包括：步骤1，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上生长一介质层；步骤2，选择性去除介质层，形成监控结构窗口，所述监控结构窗口包括若干个第一开口和若干个由未去除的介质层形成的用于间隔所述第一开口的第一间距区，所述第一开口的特征尺寸大小相等且暴露出所述半导体衬底的表面，所述第一间距区的特征尺寸大小也相等；步骤3，在所述暴露出的半导体衬底上进行氧化层生长，氧化层生长完成后去除所述氧化层和未去除的介质层，在所述半导体衬底的表面上形成监控窗口，所述监控窗口具有若干个第二开口和若干个用于间隔所述第二开口的第二间距区，所述第二开口对应于所述第一开口的位置处，所述第二间距区对应于所述第一间距区的位置处且与所述第二开口的表面具有台阶差；步骤4，采用外延工艺，在所述监控窗口上形成具有若干个第三开口和若干个位于所述第三开口间的第三间距区的一测试结构，通过所述测试结构测试监控所述监控窗口沿所述第三开口和第三间距区在发生外延畸变方向的图形数据；步骤5，只变更所述外延工艺中的温度，重复操作步骤1～4，将每次获得的图形数据处理后分别对应变更后的外延工艺中的温度找出相关性，形成监控手段。