扇出型圆片级三维半导体芯片的封装方法

摘要

本发明提供一种扇出型圆片级三维半导体芯片的封装方法，主要包括：承载片正面贴热剥离薄膜及倒装第一层芯片；第一层芯片塑封；在承载片正面涂覆第一绝缘树脂及通过激光钻孔制作导通孔；制作种子层，在种子层上面涂覆光刻胶，使光刻胶上显露出用于制作电镀线路的图形；形成电镀线路；涂覆第二绝缘树脂，在第二绝缘树脂上开窗露出电镀线路上的焊盘；第二层芯片倒装到第一层芯片上方并塑封；制作三层或更多层三维堆叠芯片的结构；去除底部承载片和热剥离薄膜；在第一层芯片正面涂覆第三绝缘树脂，在第三绝缘树脂上开窗；在第一层芯片正面形成阻焊层和植焊球。本发明提供了一种可实现多层芯片堆叠的封装工艺。

主权项

一种扇出型圆片级三维半导体芯片的封装方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一.提供承载片(101)，在承载片(101)背面制作对准标记(102)；步骤二. 在承载片(101)正面贴热剥离薄膜(103)，在热剥离薄膜(103)上倒装第一层芯片(104a)；步骤三.使用第一塑封材料(105)将承载片(101)的正面包裹住，并且将第一层芯片(104a)盖住；步骤四.对承载片(101)正面进行磨平和减薄；步骤五.在承载片(101)正面涂覆一层第一绝缘树脂(1061)；在承载片(101)的正面第一层芯片(104a)以外部位进行激光钻孔，形成导通孔(107)，导通孔(107)的底部穿透第一塑封材料(105)，但不穿透承载片(101)；步骤六.通过溅射金属或化学沉铜工艺，在导通孔(107)内表面和第一绝缘树脂(1061)表面沉积一层种子层(108)；在种子层(108)上面涂覆光刻胶(109)，使光刻胶(109)上显露出用于制作电镀线路的图形；步骤七.使用电镀的方法，在光刻胶(109)显露出的图形区中形成电镀线路(110)，电镀的金属并同时填充导通孔(107)；去除光刻胶(109)和光刻胶底部的种子层(108)，保留电镀线路(110)和电镀线路(110)底部的种子层(108)；步骤八.在承载片(101)正面涂覆第二绝缘树脂(1062)，在第二绝缘树脂(1062)上开窗露出电镀线路(110)上的焊盘(111)；步骤九.将第二层芯片(104b)倒装到第一层芯片(104a)上方，第二层芯片(104b)的凸点(112)与电镀线路(110)上的焊盘(111)焊接在一起；使用第二塑封材料(113)将承载片(101)的正面包裹住，并且将第二层芯片(104b)盖住；步骤十一. 去除底部承载片(101)和热剥离薄膜(102),露出第一层芯片(104a)的正面；步骤十二. 在第一层芯片(104a)正面涂覆第三绝缘树脂(114)，在第三绝缘树脂(114)上开窗露出第一层芯片(104a)正面的焊盘(115)和底层的导通孔(107)的底部(118)；步骤十三.在第一层芯片(104a)正面形成阻焊层(116)和植焊球(117)；多个焊球(117)分别与第一层芯片(104a)正面的焊盘(115)和底层的导通孔(107)的底部(118)连接。