一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法

摘要

本发明公开了一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法,包括以下步骤：采用DRIE工艺在基板圆片上制备第一盲孔；第一盲孔内壁淀积绝缘层、黏附/扩散阻挡层和种子层金属；第一盲孔内电镀铜，并采用CMP工艺进行电镀铜平坦化；在基板背面制备焊盘及钝化层；采用DRIE工艺在基板圆片正面制备第二盲孔；第二盲孔内壁淀积绝缘层，并去除底部绝缘层；第二盲孔内淀积黏附/扩散阻挡层、种子层；第二盲孔内电镀铜，并进行平坦化；基板圆片正面制备布线金属、钝化层及焊盘。本发明可实现20:1～30:1高深宽比硅基板加工，降低了通孔侧壁淀积绝缘层、黏附/扩散阻挡层和种子层金属及通孔电镀工艺难度，可用于高密度、小尺寸系统级封装用超厚TSV封装基板加工。

主权项

一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤一：采用深反应离子刻蚀工艺在基板圆片（1）背面制备第一盲孔；步骤二：在第一盲孔内壁和基板圆片（1）背面淀积第一绝缘层（2）、第一黏附、扩散阻挡层和种子层金属（3）；步骤三：第一盲孔内电镀铜，并采用CMP工艺进行电镀铜平坦化；步骤四：在基板圆片（1）背面制备第一焊盘（5）及第一钝化层（6）；步骤五：采用深反应离子刻蚀工艺在基板圆片（1）正面制备第二盲孔；步骤六：在第二盲孔内壁淀积第二绝缘层（7），并去除第二盲孔底部的第二绝缘层，露出第一盲孔内的第一黏附、扩散阻挡层及种子层金属（3）；步骤七：在第二盲孔内壁淀积第二黏附、扩散阻挡层及种子层金属（8）；步骤八：第二盲孔内电镀铜，并采用CMP工艺进行电镀铜平坦化；步骤九：基板圆片（1）正面制备布线金属（10）、第二钝化层（11）及第二焊盘（12）。